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lunes, 19 de abril de 2010

Samsung se adelanta con una NAND flash de 20nm


Hay que ver cómo evolucionan las cosas: no hace mucho tiempo suspirábamos por los procesos de fabricación de 45nm y ahora nos encontramos con que Samsung sigue a Toshiba en su anuncio de fabricar memorias por debajo de 25nm. La solución que plantea Samsung en esta ocasión son memorias MLC NAND de 20nm y 32GB, para ser integradas en memorias y tarjetas SD en un rango de entre 4 y 64GB.

Por otro lado, se aumenta la densidad y se reducen los costes de fabricación. El propio fabricante asegura que esta memoria es más fiable y hasta un 30% más rápidas que los chips MLC 30 nm que equipan las actuales SD de 8GB. Estas memorias serán, además, más baratas cuando salgan a la venta este año.

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